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          等離子刻蝕機(jī)

          簡要描述:廣州金程科學(xué)儀器公司供應(yīng)等離子刻蝕機(jī),RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)采用RIE反應(yīng)離子誘導(dǎo)激發(fā)方式,實(shí)現(xiàn)對材料表面各向異性的微結(jié)構(gòu)刻蝕。特 別適合于大學(xué)、科研院所,微電子、半導(dǎo)體企業(yè)實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低,性價(jià)比高,易維護(hù),處理快速高效。適用于所有的基材及 復(fù)雜的幾何構(gòu)形進(jìn)行 RIE反應(yīng)離子刻蝕。

          • 產(chǎn)品型號(hào):RIE200/RIE200plus
          • 廠商性質(zhì):代理商
          • 更新時(shí)間:2024-08-27
          • 訪  問  量:1399
          詳細(xì)介紹
          品牌CIF

          廣州金程科學(xué)儀器公司供應(yīng)等離子刻蝕機(jī),RIE反應(yīng)離子刻蝕機(jī)采用RIE反應(yīng)離子誘導(dǎo)激發(fā)方式,實(shí)現(xiàn)對材料表面各向異性的微結(jié)構(gòu)刻蝕。特 別適合于大學(xué)、科研院所,微電子、半導(dǎo)體企業(yè)實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行介質(zhì)刻蝕、硅刻蝕、金屬刻蝕等方面研究。使用成本低,性價(jià)比高,易維護(hù),處理快速高效。適用于所有的基材及 復(fù)雜的幾何構(gòu)形進(jìn)行 RIE反應(yīng)離子刻蝕。具體包括:

          介 電 材 料 (SiO2、SiNx等)

          硅基材料 (Si,a-Si,poly Si)

          III-V材料 (GaAs、InP、GaN 等)

          濺射金屬 (Au、Pt、Ti、Ta、W等)

          類金剛石 (DLC)


          等離子刻蝕機(jī)原理

          等離子蝕刻,也稱為干法蝕刻,等離子刻蝕機(jī) 是一種利用等離子體對半導(dǎo)體材料進(jìn)行刻蝕加工的 設(shè)備,是半導(dǎo)體制造過程中的設(shè)備之一。 利用等離子體作為蝕刻介質(zhì),通過控制射頻功率、 氣體流量、壓力、蝕刻氣體種類、處理時(shí)間、平臺(tái) 溫度等工藝參數(shù),選擇性地移除沉積層特定部分的 材料,將圖案蝕刻到基材上的過程。

          應(yīng)用領(lǐng)域:主要用于微電子芯片、太陽能電池、生物芯片、顯示器、光學(xué)、通訊等領(lǐng)域的器件研發(fā)和制造。

          儀器特點(diǎn):

          7寸彩色觸摸屏中英文互動(dòng)操作界面,自動(dòng)控制監(jiān)測工藝參數(shù)狀態(tài),20個(gè)配方程序,工藝數(shù)據(jù)可存儲(chǔ)追溯。

          PLC 工控機(jī)控制整個(gè)清洗過程,手動(dòng)、自動(dòng)兩種工作模式。

          真空艙體、全真空管路系統(tǒng)采用316不銹鋼材質(zhì),耐腐蝕無污染。

          采用防腐數(shù)字流量計(jì),實(shí)現(xiàn)對氣體輸入精準(zhǔn)控制。標(biāo)配雙路氣體輸送系統(tǒng),可選多氣路氣體輸送系統(tǒng),可輸入氧氣、氬氣、 氮?dú)?、四氟化碳、氫氣或混合氣等氣體。

          采用花灑式多孔進(jìn)氣方式,改變單孔進(jìn)氣不均勻問題。

          HEPA 高效過濾,氣體返填吹掃,防止二次污染。

          符合人體功能學(xué)的60度傾角操作界面設(shè)計(jì),操作方便,界面友好。

          采用頂置真空艙,上開蓋設(shè)計(jì),下壓式鉸鏈開關(guān)方式。

          上置式360度水平取放樣品設(shè)計(jì),符合人體功能學(xué),操作更方便。

          有效處理面積大,可處理最大直徑154mm  晶元硅片。

          安全保護(hù),艙門打開,自動(dòng)關(guān)閉電源,機(jī)器運(yùn)行、停止提示。

          等離子刻蝕機(jī).png


          等離子刻蝕機(jī)技術(shù)參數(shù):


          型號(hào)

          RIE200

          RIE200plus

          艙體內(nèi)尺寸

          H38xφ260mm

          H38xφ260mm

          艙體容積

          2L

          2L

          射頻電源

          40KHz

          13.56MHz

          電極

          不銹鋼氣浴RIE電極,φ200mm

          不銹鋼氣浴RIE電極,φ200mm

          匹配器

          自動(dòng)匹配

          自動(dòng)匹配

          刻蝕方式

          RIE

          RIE

          射頻功率

          0-600W可調(diào)(可選0-1000W)

          0-300W可調(diào)(可選0-600W)

          氣體控制

          質(zhì)量流量計(jì)(MFC)  (標(biāo)配雙路,可選多路)流量范圍0-500SCCM(可調(diào))

          工藝氣體

          Ar、N? 、O? 、H? 、CF4、CF4+H2、CHF3或其他混合氣體等(可選)

          最大處理尺寸

          φ154mm

          產(chǎn)品尺寸

          L520xW600xH420mm

          包裝尺寸

          L700xW580xH490mm

          時(shí)間設(shè)定

          9999秒

          真空泵

          抽速約8m3/h

          氣體穩(wěn)定時(shí)間

          1分鐘

          極限真空

          ≤1Pa

          電源

          AC220V 50-60Hz,802(1202)502(802)W所有配線符合《低壓配電設(shè)計(jì)規(guī)范

          GB50054-95》、《低壓配電裝置及線路設(shè)計(jì)規(guī)范》等國標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)相關(guān)規(guī)定。

          整機(jī)重量

          38kg

          備注: 可選:1、冷卻循環(huán)水器:溫度控制范圍-20-100℃;2、分子泵:分子泵抽速85L/s(N2)  極 限 真 空 :LF<8*10-

          6Pa,CF<8*10-7Pa。


          等離子刻蝕機(jī)信息由廣州金程科學(xué)儀器有限公司為您提供。



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